CMSC3812是采用Cmos先進溝槽工藝開發(fā)的一款雙N溝道低壓增強型場效應管,具有30V漏源電壓（VDS）,常溫條件下20A漏極電流（ID）,具備能瞬間抵抗高達80A的高脈沖電流沖擊性。

CMD65P02是采用Cmos先進溝槽工藝開發(fā)的一款P溝道低壓增強型場效應管,具有-20V漏源電壓（VDS）和-65A漏極電流（ID）（常溫條件）,具有抵抗高達-260A的脈沖電流的高性能抗沖擊性。

CMD031N03L是采用Cmos自己優(yōu)化的柵極被分割改進型溝槽工藝制造的一款金屬氧化物半導體場效應晶體管。

CMB044N10BMOS管是一款采用柵極分割改進型溝槽工藝設(shè)計的大功率FET，屬于低電壓大電流MOS，具有卓越的性能和廣闊的應用市場。

CMP006N12是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，具有優(yōu)秀的RDS（ON）和低柵極電荷QG。它可以用于多種電路應用中，如同步整流、逆變器、電機驅(qū)動等。