Cmos優(yōu)勢物料推選十：CMD031N03L
Cmos優(yōu)勢物料推選十：CMD031N03L
CMD031N03L是采用Cmos自己優(yōu)化的柵極被分割改進型溝槽工藝制造的一款金屬氧化物半導體場效應晶體管。特點是，具有更低的輸入輸出電容，滿足了更高頻率的開關(guān)切換電路應用。極低的RDSON和QG，得到了卓越的優(yōu)值系數(shù)，明顯提高了場效應管自生的效率轉(zhuǎn)換能力。理想的RSP特性和參數(shù)一致性，使得該物料在，同步整流，BMS,電機驅(qū)動以及UPS等應用中展現(xiàn)出卓越的穩(wěn)定性。CMD031N03L是Cmos長期秉持綠色可持續(xù)發(fā)展又一產(chǎn)品。
封裝形式
基礎(chǔ)參數(shù)
核心優(yōu)勢
CMD031N03L是一款低壓應用MOSFET,擊穿電壓BVDSS=30V，采用Cmos自己研發(fā)的溝槽優(yōu)化工藝制造。常溫條件下，源漏持續(xù)電流最高可達120A，具有卓越的帶載能力。CMD031N03L提供了TO-252、TO-251兩種常規(guī)封裝，這兩種封裝背部額外加裝較大散熱片，具有優(yōu)秀的散熱能力,保障了在高輸出能力的條件下的熱管理平衡。場效應管的優(yōu)值系數(shù)FOM=QG×RDSON ，QG值反映了場效應晶體管的開關(guān)動態(tài)特性，RDSON 是MOS管導通后的靜態(tài)特性，F(xiàn)OM綜合反映了場效應晶體管對能量的轉(zhuǎn)換效率。擁有優(yōu)秀高效的轉(zhuǎn)換效率，不僅提高了場效應自身的應用領(lǐng)域，而且符合綠色設計可持續(xù)發(fā)展的需要。
降本增效
場效應管以其超高頻次（frequence可達兆赫茲以上）的開關(guān)速度在射頻信號，通信鄰域，工業(yè)控制，無人機電機驅(qū)動和智能Ai泛領(lǐng)域得到應用。由此可見，其自身能量損耗和開關(guān)響應速度是保證其性能關(guān)鍵參數(shù)。CMD031N03L在常溫環(huán)境下，飽和導通內(nèi)阻只有3毫歐，極低的能耗在MBS，UPS，消費類電機驅(qū)動性產(chǎn)品中具有很高的應用需求。柵極閾值電壓不超過2V，低開啟電壓使驅(qū)動電路的設計更簡單，COSS輸入電容為2500PF，場效應管的開啟就是給COSS充電的過程，該電容小，充電時間就短，或者允許充電電流可以小，一般單片機Drout 引腳的輸出電流只有毫安級別，如此則可以用單片機直驅(qū)場效應管變得更具有現(xiàn)實意義。
Product Data Sheet
Cmos是優(yōu)質(zhì)的國產(chǎn)半導體，有二十五年的晶體管開發(fā)經(jīng)驗。擁有核心的產(chǎn)品研發(fā)能力,相關(guān)專利申請達四十多項；具有完備的半導體后道工藝生產(chǎn)設備，有著豐富產(chǎn)品型號。開發(fā)產(chǎn)品面向鄰域廣泛，實用性能可靠穩(wěn)定，有較強的品牌影響力和市場份額。
Cmos晶體管產(chǎn)品有：MOS場效應管，晶閘管，IGBT功率模塊，78系列穩(wěn)壓芯片，各種三極管和二極管等。
Cmos產(chǎn)品應用領(lǐng)域如下表所示：
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