CMD30N10是采用Cmos溝槽工藝封測的一款N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。特點(diǎn)是，具有更低的閘間電容，擁有更優(yōu)秀的開關(guān)特性，滿足超高頻率開關(guān)切換電路的應(yīng)用。

近十年來，以智能手機(jī)、智能手表、智能眼鏡等為代表的智能3C類穿戴設(shè)備呈現(xiàn)出爆炸式增長，與此同時(shí)，與之配套相關(guān)的電源類產(chǎn)品，如半導(dǎo)體材料、相關(guān)電子技術(shù)及產(chǎn)品設(shè)計(jì)均得到快速發(fā)展。