CMP006N12：優(yōu)秀電機(jī)驅(qū)動MOS
CMP006N12：優(yōu)秀電機(jī)驅(qū)動MOS
CMP006N12是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，具有優(yōu)秀的RDS（ON）和低柵極電荷QG。它可以用于多種電路應(yīng)用中，如同步整流、逆變器、電機(jī)驅(qū)動等。
卓越的電氣特性
CMP006N12的主要電氣特性包括：
耐壓：CMP006N12的耐壓（BVDSS）為120V。
電流：在25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）高達(dá)120A，瞬間沖擊電流IDM更是高達(dá)360A，這使得CMP006N12在高功率大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
雪崩能量：CMP006N12采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，單次雪崩能量EAS為480mJ，使其有很強(qiáng)的抗沖擊能力，能承受高能量脈沖，提升了其耐用性和可靠性。
低熱阻：CMP006N12采用TO-220封裝，具有優(yōu)秀的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）低至0.5℃/W。工作時能夠有效地將熱量散發(fā)出去，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMP006N12的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大只有5.8mΩ。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，提高了整體電路的能效。
低開關(guān)損耗：低QG、結(jié)電容，使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能，和低開關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMP006N12 由于擁有大電流、高EAS、低熱阻、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)異的特性，適用于多種電路應(yīng)用，如同步整流、逆變器、電機(jī)驅(qū)動等。
CMP006N12采用的TO-220封裝，其優(yōu)秀的電氣特性，使其能夠在各種高應(yīng)力環(huán)境下穩(wěn)定工作。通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些特性集成到CMP006N12中，使其在各種電源電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
